为什么说存储芯片的周期底部已过？
⭐发布日期：2024年10月01日 | 来源:妙招姐
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存储芯片具有很强的大宗商品属性。
大宗商品的一大特点就是标准化程度高，价格上对下游市场需求较为敏感。因此存储芯片的周期波动性往往要比半导体行业的整体要高很多。
从周期长度上看，存储芯片的历史价格上行期一般为 4-8 个季度，下行期 5-11 个季度，也就是不超过三年。
截止目前，存储市场景气度下行已持续近两年半，接下来有望很快迎来上行周期。
根据WSTS的预测，存储2023-2024年市场规模为840.4亿美元和1203.3亿美元，分别同比-35%，+43%。
凭什么说存储芯片的周期底部已过呢？在这里，我们就可以用到周期股的分析方法，也就是“价格、库存、需求、供给”四维分析法。
一，价格
DRAM与NAND价格2Q23仍有小幅下降，但已呈现逐步筑底的趋势，Trendforce预计3Q23 DRAM 跌幅 0%~5%，降幅较1Q23的下降13%已明显收窄。
对于短期内DRAM和NAND芯片的价格变动，可以参考 TrendForce对3Q23 产品价格的预估：
①DRAM 方面，受益于 DRAM 供应商陆续启动减产，以及季节性需求支撑减轻供应商库存压力，预期 23Q3DRAM 均价跌幅将会收敛至 0~5%，其中 PC DRAM、Server DRAM、Moblie DRAM、Graphics DRAM、Consumer DRAM 的 23Q3 均价均预计环比下跌 0~5%；
②NAND Flash 方面，同样受惠于原厂减产幅度持续扩大，与季节性旺季需求支撑，预估 23Q3 整体 NAND Flash 均价下跌收敛至 3~8%，其中 NAND Flash Wafer 均价预估将率先上涨，环比增长 0~5%； eMMC、UFS，其合约均价预计跌幅仍有约 8~13%；Enterprise SSD 均价跌幅将收敛至 5~10%；Client SSD 均价将环比下跌 8~13%。
9月13日最新消息显示，三星近期与客户签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20％。
二，库存
对比海外存储大厂海力士与美光的库存，自22年初水位一直增长，反应过去存储一直处于下行周期。
根据 Bloomberg 数据，主要存储原厂库存水平以及库存周转天数仍在上涨，季度环比上看，上涨幅度已逐步趋缓。
美光2Q23数据上看，若加回存货减值影响，则2Q23库存较1Q23已开始下降，美光2Q23存货周转天数为168天，目标值在120天。
同时三星、海力士均认为 2H23库存正常化速度将加快，市场环境将得到改善。
供给端的产能缩减将在下半年开始逐步反应，预计下半年原厂库存将开始下降。
三，需求
需求端情况主要取决于移动端、PC 以及服务器市场需求量，服务器市场需求已成为市场增长的主要驱动因素。
移动端与PC机已经度过渗透率快速提升的红利期，终端产品出货量上已逐步见顶，据IDC数据，手机与PC出货量分别从16年与14年开始整体呈现下滑趋势，未来移动端与PC市场需求增长将主要来自于单机容量的提升。
但移动端与PC存量市场毕竟较大，因此，移动设备、PC与服务器市场需求为存储周期中的重点关注市场。
从行业景气度角度来看：
移动端：IDC 预测 2023 年全球智能手机出货量将下降 3.2%，但有望于2024年实现良好复苏，预计出货量将增长6%，未来4年市场也将呈持续增长趋势。
笔电：根据 TrendForce 数据，全球笔电市场于23Q实现快速复苏并持续增长，23Q2全球笔电出货量将达40.5百万台，同比增长15.7%，到23Q4出货量将增长到44.7百万台。
重点说下服务器市场。
服务器市场从2002年至今处于持续增长的趋势，IDC数据，全球服务器出货量从2002年的445万台增长至2022年的 1495 万台，2002~2022 年 CAGR 达到 6%。
IDC预计2023出货量增速将下滑，2024年有望重回稳健增长轨道。
同时，行业整体呈现出AI服务器等高算力型号渗透率增长超过传统型号的趋势，预计2023-2026年AI服务器渗透率 CAGR 将达到 26.05%，且由于 AI 服务器对软硬件要求高，对上游部件价值量起到的增长作用将远超传统服务器。
服务器市场将迎来销量提升与单机容量提升的双驱动，成为存储市场下游需求的主要驱动因素。
华泰证券预计23/24年DRAM与NAND bit需求增速分别为8.1%/14.4%与9.6%/20.0%。
四，供给
主要厂商稼动率与资本开支缩减明显，Trendforce数据，三星、美光、SK 海力士 2Q23 稼动率从22年的接近满载分别下滑至77%、74%、82%，Bloomberg数据，海力士1Q23资本开支同比下降43%，美光2Q23资本开支同比下降40%。
根据美光 FY23Q3 法说会信息，其近期将 DRAM和NAND晶圆开工率进 一步减少至接近 30%，预计减产将持续到 2024 年，这或也将对应三星、海力士等存储大厂 FY23Q2 的晶圆开工率情况。
华泰证券预计23/24年DRAM与NAND bit 供给增速分别为4.6%/8.0%与6.7%/14.8%。
行业资本开支可为供需关系变动提供前瞻指引。据IDC与 Bloomberg 数据，资本开支缩减后约3个季度后供给充足率开始出现拐点，同时价格开始上行。
总结
供给端，原厂稼动率与资本开支大幅缩减，下半年开始减产效果逐渐显现。需求端，23 年各终端整体疲软态势持续，24年有望在手机终端需求复苏、手机与服务器单机密度持续提升下带动整体需求回暖。存储价格也已筑底，CFM报价显示部分品类价格已出现上涨，存储周期拐点将近，下半年市场回暖有望开启新一轮上行。2024年市场规模有望同比增长43%至1203.3亿美元。而A股中的相关存储芯片标的也有望有所表现。
参考资料：华泰证券《存储：底部已过，AI 推动行业进入新周期》
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王政杰
2秒前：主要厂商稼动率与资本开支缩减明显，Trendforce数据，三星、美光、SK 海力士 2Q23 稼动率从22年的接近满载分别下滑至77%、74%、82%，Bloomberg数据，海力士1Q23资本开支同比下降43%，美光2Q23资本开支同比下降40%。
IP:32.82.3.*
张词
3秒前：4亿美元和1203.
IP:81.74.9.*
이준현
2秒前：①DRAM 方面，受益于 DRAM 供应商陆续启动减产，以及季节性需求支撑减轻供应商库存压力，预期 23Q3DRAM 均价跌幅将会收敛至 0~5%，其中 PC DRAM、Server DRAM、Moblie DRAM、Graphics DRAM、Consumer DRAM 的 23Q3 均价均预计环比下跌 0~5%；
IP:33.94.2.*